2100 МБ/с для смартфонов. Samsung начала серийное производство высокоскоростных флэш-памяти eUFS 3.0 512 ГБ

Кoмпaния Samsung Electronics сooбщилa o нaчaлe мaссoвoгo прoизвoдствa скoрoсть флэш-память емкостью 512 ГБ для смартфонов. Это первые в отрасли модули такого размера для мобильных устройств, отвечающих требованиям спецификации eUFS (embedded Universal Flash Storage) 3.0.

Такая память производится вдвое быстрее, чем предыдущее поколение, в соответствии со стандартом eUFS 2.1. Samsung подчеркивает, что он приносит на смартфоны скорости, ранее доступные только в ультратонких ноутбуках.

Модули обеспечивают скорость последовательного чтения 2100 MB/s, Sequential write — 410 МБ/с максимальная производительность при чтении памяти прямого доступа заявлено на уровне 63 000 IOPS при записи от 68 000 IOPS. По данным Корейского производителя, в 20 раз быстрее чем «обычные» microSD операций последовательного чтения, что позволяет передавать смартфон фильм в Full-HD на ПК в течение 3 секунд. И в операциях с произвольным доступом — 630 раз быстрее, чем microSD.

Во второй половине года Samsung планирует выпуск подобных модулей 1 ТБ.

Комментирование и размещение ссылок запрещено.

Комментарии закрыты.